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双层多晶硅法 - 专用晶圆加工工艺实现高性能模

时间:2021-01-27 17:27

  如图3所示,HP180薄膜电阻(TFR)的温漂为7ppm/C(表面电阻为950C/sq)。此外,薄膜电阻匹配性能远高于传统多晶硅电阻的匹配性能。

  图3:多晶硅高表面电阻(HSR)与薄膜电阻(TFR)的匹配性能对比,两种电阻的表面电阻均均约为1K/sq。

  虽然设计人员所预期的高性能模拟产品可能都是独立芯片,不过模块化的专用晶圆加工工艺可以实现高密度逻辑(115Kgates/mm2),再加上能够整合板上非易失性存储器,因此可以进一步实现高性能工艺,从而轻松地从独立芯片转化为系统级芯片(SoC)。

  高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术,从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化,必须对这种关键的器件从头进行设计,使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下,设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片,从而更快地实现更大的差异化。

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